• Объявления

Выбор оперативной памяти DDR4

Обсуждение модулей памяти.

Модератор: Starley440

  • Объявления

Автор
Сообщение
tomgan
Участник
Участник
 
Сообщения: 54
Зарегистрирован:
11 май 2009, 10:47

Выбор оперативной памяти DDR4

Сообщение tomgan » 28 май 2009, 22:34


Вождь Светлолицых
Истинный Фанат
Истинный Фанат
 
Сообщения: 669
Зарегистрирован:
18 май 2018, 18:48

Сообщение Вождь Светлолицых » 26 янв 2020, 00:46

Лучшая память по соотношению цена/качество, это Samsung, берет до ~4000 МГц, при 1,35В, Hynix чуть похуже по спецификациям, берет на ~50 МГц меньше.
Kingmax похож на Hynix. Это про 8 ГБ модули, двухсторонние. 4ГБ двухсторонние хуже.
Остальные как правило с радиаторами, плохой клей, отклеиваются, начинают глючит, надо отрыват радиаторы.
На серверной памяти другой клей, долговечный.
Брать лучше с более "квадратными"чипами, обычно соотношение минимум 4:5, такая компоновка памяти.
Последний раз редактировалось Вождь Светлолицых 03 фев 2020, 10:47, всего редактировалось 1 раз.

Вождь Светлолицых
Истинный Фанат
Истинный Фанат
 
Сообщения: 669
Зарегистрирован:
18 май 2018, 18:48

Сообщение Вождь Светлолицых » 02 фев 2020, 06:16

16 ГБ модули двухсторонние Samsung берут ~4600 при 1,3 В, и ~4800 при 1,35 В. Тайминги ~24-24-24-72. Hynix берет на ~50-100 МГц меньше.
Kingmax похож на Hynix.

Вождь Светлолицых
Истинный Фанат
Истинный Фанат
 
Сообщения: 669
Зарегистрирован:
18 май 2018, 18:48

Сообщение Вождь Светлолицых » 28 мар 2020, 08:02

32 ГБ модули двухсторонние Samsung 2666МГц берут ~5000 при 1,32 В, и ~4800 при 1,3 В. Тайминги ~24-24-24-72. Техпроцесс 10 нм.
На стандартном напряжении 1,2 В ~3600 МГц, 20-20-20-60.



  • Объявления

Вернуться в Оперативная память

Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 2


  • Объявления