Где купить?: market.yandex.ru price.ru tyndex.ru
Память пока максимум DDR5-5200 МГц, наверняка будет 6400 МГц.
Возможно будет и DDR5-7200 МГц
Максимальное допустимое напряжение без деградации.
Samsung
64 ГБ двухсторонняя (16 чипов) 1.14 В (16нм) на процессорах и оперативной памяти, на одном техпроцессе, разное напряжение максимальное, на процессорах напряжение выше.
32 ГБ односторонняя (8 чипов) 1.14 В (16нм)
32 ГБ двухсторонняя (16 чипов) 1.2 В (22нм)
16 ГБ односторонняя (8 чипов) 1.2 В (22нм)
16 ГБ двухсторонняя (16 чипов) 1.25 В (32нм)
8 ГБ односторонняя (8 чипов) 1.25 В (32нм)
Еще производители памяти бывает лепят вместо 8 микросхем 10, чтоб поменьше размер чипа был.
Квадратный чип лучше частоту берет, чем прямоугольный. Меньшего размера -потенциально может быть больше выход годных чипов.
Максимальное допустимое напряжение для других производителей берите как у Samsung.
Нормальная память без радиаторов:
16GB Hynix Original DDR5-4800MHz 10 000 руб.
16GB Samsung Original DDR5-4800MHz 8 300 руб.
16GB Kingmax DDR5-4800MHz 12 500 руб.
16GB Apacer DDR5-4800MHz ? руб.
32GB Apacer, Hynix, Samsung, Kingmax DDR5-4800MHz 22 000 руб.
Patriot подходит только для Intel, и то части плат, поддерживает двухканальный режим.
На AMD скорее всего будет только поддержка в виде одноканального режима.
32 ГБ модули ~80% продаж
16 ГБ модули ~20% продаж
Компания Kingmax, возможно, начнет поставлять модули памяти:
DDR5-6400, 16ГБ - односторонняя, 8 микросхем (22нм). Рабочее напряжение, стандартное 1,1В. Без радиаторов
DDR5-6400, 32ГБ - двухсторонняя, 16 микросхем (22нм). Рабочее напряжение, стандартное 1,1В. Без радиаторов.
Хорошие экземпляры, модулей памяти, могут взять:
DDR5-8000 1,2В, ~CL30-30-30-75-100
DDR5-9600 1,2В, ~CL36
DDR5-6400 1,2В, ~CL25-25-25-25-63-83-1T.
Компания Hynix, возможно, начнет поставлять модули памяти:
DDR5-6400, 16ГБ - односторонняя, 8 микросхем (22нм). Рабочее напряжение, стандартное 1,1В. Без радиаторов
DDR5-6400, 32ГБ - двухсторонняя, 16 микросхем (22нм). Рабочее напряжение, стандартное 1,1В. Без радиаторов.
Хорошие экземпляры, модулей памяти, могут взять:
DDR5-8000 1,2В, ~CL44-44-44-110-145
DDR5-8400 1,2В, ~CL45
DDR5-6400 1,2В, ~CL35-35-35-88-116-1T.
Компания Samsung, возможно, начнет поставлять модули памяти:
DDR5-6400, 16ГБ - односторонняя, 8 микросхем (22нм). Рабочее напряжение, стандартное 1,1В. Без радиаторов
DDR5-6400, 32ГБ - двухсторонняя, 16 микросхем (22нм). Рабочее напряжение, стандартное 1,1В. Без радиаторов.
Хорошие экземпляры, модулей памяти, могут взять:
DDR5-8000 1,2В, ~CL44-44-44-110-145
DDR5-8200 1,2В, ~CL45
DDR5-6400 1,2В, ~CL35-35-35-88-116-1T.
Компания Micron (Crucial), возможно, начнет поставлять модули памяти:
DDR5-6400, 16ГБ - односторонняя, 8 микросхем (22нм). Рабочее напряжение, стандартное 1,1В. Без радиаторов
DDR5-6400, 32ГБ - двухсторонняя, 16 микросхем (22нм). Рабочее напряжение, стандартное 1,1В. Без радиаторов.
Хорошие экземпляры, модулей памяти, могут взять:
DDR5-7600 1,2В, ~CL40-40-40-100-132,
DDR5-6400 1,2В, ~CL33-33-33-83-109-1T.
Компания Patriot, возможно, начнет поставлять модули памяти:
DDR5-6400, 16ГБ - односторонняя, 8 микросхем (22нм). Рабочее напряжение, стандартное 1,1В. Без радиаторов
DDR5-6400, 32ГБ - двухсторонняя, 16 микросхем (22нм). Рабочее напряжение, стандартное 1,1В. Без радиаторов.
Хорошие экземпляры, модулей памяти, могут взять:
DDR5-7500 1,2В, ~CL42-42-42-105-139,
DDR5-6400 1,2В, ~CL45-45-45-113-149-2T.
Еще производители памяти лепят вместо 8 микросхем 10, чтоб поменьше размер чипа был.
Квадратный чип лучше частоту берет, чем прямоугольный. меньшего размера -потенциально может быть больше выход годных чипов.